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              對可見光響應的含鉬半導體光催化材料及其制備方法和用途

              來源:中國凹凸棒土網    01-31 10:06
              本發明涉及對可見光響應的含鉬半導體光催化材料,其分子式為M2M1FeMoO6,式中M1=Li、Na、K、Rb或Cs;M2=Be、Mg、Ca、Sr或Ba。其制備方法包括如下步驟:按含M1的化合物、含M2的化合物、含Fe的化合物、含Mo的化合物中的M1、Fe、M2、Mo的摩爾比=1∶1∶1∶1的比例放入研缽中研磨混合均勻,經過預燒處理后升溫到800~1200℃恒溫1~160小時,即可得到對可見光響應的含鉬半導體光催化材料。本發明材料能帶帶隙很低,在可見光照射下有很好的吸收,可用于對太陽光進行全光譜吸收;或用于在可見光照射下除空氣中的有害物質和殺菌;或用于作為光電轉換材料;或用于光催化分解水制氫氣和氧氣;或用于降解去除污水中對人有害的有機物質。本發明合成成本低廉、方法簡單易行。
              申請號­
              CN200910062008
              申請日
              2009.05.08
              公開(公告)號­
              CN101559371A
              公開(公告)日
              2009.10.21
              IPC分類號
              B01J23/881; C02F101/30; B01J37/04; B01J37/08; A61L9/18; C01B3/04; C01B13/02; C02F1/30; H01L31/04; A61L101/28; A61L101/02; B01J23/78
              申請(專利權)人
              武漢理工大學;
              發明人
              夏文兵;戴璐;黃坤;黃進;馮良東;
              優先權號
               
              優先權日
               
              申請人地址
              湖北省武漢市洪山區珞獅路122號;
              申請人郵編
              430070;
              CPC分類號
               

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